observerКомпании IBM и Lam Research объявили о пятилетнем сотрудничестве по разработке EUV-резиста для техпроцессов с размером элементов менее 1 нм. Цель проекта — масштабирование производства логических микросхем с использованием высокоапертурной EUV-литографии и технологии сухого резиста Aether от Lam.
Место разработки и предыстория партнерства
Разработка будет вестись на базе исследовательского центра IBM Research в составе NY Creates Albany NanoTech Complex, штат Нью-Йорк. Партнерство между IBM и Lam Research продолжается более 10 лет, и ранее компании совместно работали над техпроцессом 7 нм, архитектурой нанолистовых транзисторов и внедрением ранних EUV-процессов. В 2021 году IBM объявила о первом в мире 2-нм чипе.
Технические особенности нового EUV-резиста
Основное внимание будет уделено проверке полного техпроцесса для нанолистовых и наностековых транзисторов, включая:
- обеспечение обратного питания через заднюю поверхность пластины;
- использование платформ травления Kiyo и Akara от Lam;
- системы охлаждения Striker и ALTUS Halo;
- сухой резист Aether.
Традиционные литографические процессы используют химически усиленные резисты с влажной обработкой, которые плохо подходят для EUV-сканеров с высокой числовой апертурой. В отличие от них, сухой резист Aether наносится с помощью парофазных прекурсоров и обрабатывается плазменным сухим процессом.
Металлорганические соединения Aether поглощают ультрафиолетовое излучение в 3–5 раз эффективнее традиционных углеродных резистов. Это снижает дозу облучения на каждом этапе и позволяет формировать рисунок на пластине с высокой точностью, без многократного экспонирования.
Применение и преимущества
Lam Research уже объявила, что ведущий производитель памяти выбрал Aether как основной инструмент для инновационных DRAM-процессов. IBM и Lam Research планируют обеспечить:
- надежный перенос высокочастотных EUV-шаблонов на реальные слои транзисторов;
- ускорение внедрения высокочастотной EUV-технологии для межсоединений и шаблонов транзисторов следующего поколения;
- повышение качества рисунка благодаря меньшему количеству этапов между экспозицией и травлением, что снижает вероятность ухудшения шаблона.
Нанолистовые транзисторы и обратное питание
Нанолистовые транзисторы представляют собой многослойные конструкции из нескольких кремниевых пластин, что увеличивает проводимость без роста размеров. Компании намерены проверить полные техпроцессы для таких транзисторов и для обратного питания — передачи энергии через заднюю поверхность пластины, что освобождает передние слои межсоединений и улучшает прохождение сигнала.
Совместная работа IBM и Lam Research направлена на достижение прорывных показателей в производстве микросхем следующего поколения, включая элементы размером менее 1 нм, обеспечивая более высокую плотность, производительность и энергоэффективность логических чипов.
Комментарии (0)